1、頻增強(qiáng)等離子體化學(xué)氣相淀積（RF-PECVD）
   等離子體化學(xué)氣相淀積是在低壓化學(xué)氣相淀積的同時，利用輝光放電等離子對過程施加影響，在襯底上制備出多晶薄膜。這種方法是日本科尼卡公司在1994年提出的，其等離子體的產(chǎn)生方法多采用射頻法，故稱為RF-PECVD。其射頻電場采用兩種不同的耦合方式，即電感耦合和電容耦合[1]。

2、甚高頻等離子體化學(xué)氣相淀積（VHF-PECVD）
   采用RF-PECVD技術(shù)制備薄膜時，為了實現(xiàn)低溫淀積，必須使用稀釋的硅烷作為反應(yīng)氣體，因此淀積速度有限。VHF-PECVD技術(shù)由于VHF激發(fā)的等離子體比常規(guī)的射頻產(chǎn)生的等離子體電子溫度更低、密度更大[2]，因而能夠大幅度提高薄膜的淀積速率，在實際應(yīng)用中獲得了更廣泛的應(yīng)用。

3、介質(zhì)層阻擋放電增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積（DBD-PECVD）
   DBD-PECVD是有絕緣介質(zhì)插入放電空間的一種非平衡態(tài)氣體放電（又稱介質(zhì)阻擋電暈放電或無聲放電）。這種放電方式兼有輝光放電的大空間均勻放電和電暈放電的高氣壓運行特點，正逐漸用于制備硅薄膜中[3]。

4、微波電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積（MWECR-PECVD）
   MWECR-PECVD是利用電子在微波和磁場中的回旋共振效應(yīng)，在真空條件下形成高活性和高密度的等離子體進(jìn)行氣相化學(xué)反應(yīng)。在低溫下形成薄膜的技術(shù)。這種方法的等離子體是由電磁波激發(fā)而產(chǎn)生，其常用頻率為2450MHz，通過改變電磁波光子能量可直接改變使氣體分解成粒子的能量和生存壽命，從而對薄膜的生成和膜表面的處理機(jī)制產(chǎn)生重大影響，并從根本上決定生成膜的結(jié)構(gòu)、特性和穩(wěn)定性[4]。